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ASML韩国研发中心2027年引入 High

2024-02-21 15:45:39      点击:731

High-NA EUV 光刻机能实现2纳米以下工艺,”此次ASML韩国首次透露出研发中心具体选址和引入 High-NA 设备的时间表。

对于该研发中心建设进展,完工后拟引进 High-NA 设备,各自出资1万亿韩元(约54亿元人民币)在韩国设立联合研发中心 。

ASML韩国公司总裁Lee Woo kyung近期透露,去年12月消息,Lee Woo kyung称 :“我们在ASML韩国华城园区附近找到新址,明年动工 。ASML与三星电子的合资研发中心预计将最迟在2027年引入 High-NA 光刻机 。使各大厂商争夺其产能 。

三星电子已表示2027年计划生产1.4纳米工艺品。英特尔已收到ASML交付的首台这种设备。最晚2027年完成。

三星电子和ASML去年签署协议 ,此中心将为双方工程师提供EUV设备进行先进半导体研究合作。

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